清溢光电在 11 月 9 日晚间正式发布公告，由旗下控股子公司佛山清溢微电子作为实施主体，在佛山南海基地推进高端半导体掩膜版三期扩建，项目总投资上限为 15 亿元，主打 28nm 至 14nm 先进节点半导体掩膜版，计划今年 12 月启动开工，整体建设周期三年，资金采用自有或者自筹方式，不使用上市公司募集资金；这次投资规模相比当初规划的三期 6 亿元大幅上调，把重心放在国内缺口最大的先进制程光罩，用来对接本土晶圆厂的扩产和制程升级，补齐国内高端掩膜版保供短板，而佛山基地一期已经顺利投产，二期还在稳步建设当中。之所以这次扩产被行业重点关注，是因为掩膜版也就是芯片底片，属于光刻环节的核心耗材，目前国内 28nm、14nm 这一档高端掩膜版国产化率很低，长期依赖海外供应商，交付周期、价格和供应链稳定性都存在风险；随着国内算力芯片、车载芯片、各类专用芯片持续扩产，先进掩膜版的需求在持续上涨，清溢光电希望借着这次加码，把产品结构从中低端往先进节点迁移，拉高在半导体掩膜版赛道的市场份额，当然项目周期很长，先进掩膜版对设备、洁净环境、图形精度、良率控制要求极高，就算产线建成，还要经过送样、认证、导入晶圆厂的漫长流程，短期很难立刻兑现营收增量。下面把项目基础信息、佛山基地整体规划、三期产品定位、资金与工期、掩膜版赛道痛点、项目推进步骤分开梳理清楚。
一、项目基础信息
- 实施主体：佛山清溢微电子有限公司，清溢光电控股子公司
- 项目地点：广东佛山南海区
- 投资上限：不超过 15 亿元，包含设备采购、洁净厂房改造、配套工程
- 预计开工：2026 年 12 月
- 建设期：36 个月
- 资金来源：自有资金、自筹资金，不涉及上市公司募集资金
- 主打产品：28nm～14nm 高端半导体掩膜版
- 建设形式：在现有一、二期厂房基础上改造增线，不是全新拿地新建
二、佛山高端掩膜版基地整体规划
| 阶段 | 原定投资额 | 当前状态 | 产品方向 |
|---|---|---|---|
| 一期 | 6.05 亿元 | 已投产 | 250nm～65nm 半导体掩膜版 |
| 二期 | 2.95 亿元 | 建设推进中 | 向 28nm 过渡的掩膜版 |
| 三期 | 原计划 6 亿元，上调至最高 15 亿元 | 待开工 | 聚焦 28nm～14nm 先进节点掩膜版 |
三、三期项目核心目标
- 补齐供给缺口：面向国内晶圆厂，提供 28nm 到 14nm 掩膜版本土备选供应商，降低对外依赖。
- 优化产品结构：把业务重心从成熟制程掩膜版，向附加值更高的先进制程光罩转移。
- 稳定本土交付：缩短交付周期，方便和国内芯片设计、制造企业同步联合调优。
- 提升市场份额：依托整套佛山基地产能，扩大在国内半导体掩膜版市场占比。
四、高端掩膜版行业现存难点
- 设备门槛高：激光图形发生器、检测、修复设备主要由海外厂商供应，采购周期长。
- 良率控制严苛：先进节点掩膜版图形微小，微小缺陷就会造成整片晶圆报废。
- 客户认证周期漫长：晶圆厂导入新供应商需要多轮送样、可靠性验证，耗时通常以年计。
- 竞争格局集中：海外头部厂商长期垄断先进制程掩膜版市场，国内玩家不多。
五、整套项目推进步骤
- 董事会审批：11 月 9 日清溢光电董事会通过三期投资议案，对外发布正式公告。
- 前期工程筹备：完成厂房改造方案、设备选型、商务谈判、环评以及配套手续。
- 正式开工建设：预计 2026 年 12 月启动现场施工、洁净车间搭建。
- 设备进场调试：图形生成、缺陷检测、修复设备陆续进场，调试工艺参数。
- 试产与送样认证：产出样片，送国内多家晶圆厂开展导入测试与可靠性认证。
- 爬坡量产：通过客户认证之后逐步抬升产能，实现稳定批量供货。
六、最终结论
清溢光电这次把三期掩膜版预算上调至最高 15 亿元，是一次押注先进制程国产替代的重要动作，瞄准国内最紧缺的 28nm 到 14nm 掩膜版；整套佛山基地形成从成熟制程逐步往先进节点爬升的产能梯队，能够持续承接国内晶圆制造扩张带来的耗材需求；但也要客观看待，高端掩膜版属于高门槛赛道，产线落地不等于马上实现大规模供货，后续设备交付、工艺打磨、客户认证都会是决定项目成败的关键环节。
【相关 FAQ】
问题 1：清溢光电这次拟投入 15 亿元的高端半导体掩膜版三期项目，主要面向哪个制程节点？
回答 1：清溢光电高端半导体掩膜版三期项目，规划主打 28nm～14nm 先进节点半导体掩膜版，用来匹配国内先进制程晶圆厂的耗材需求。
问题 2：清溢光电高端半导体掩膜版三期项目，资金来源和开工时间是什么？
回答 2：清溢光电高端半导体掩膜版三期项目资金来自自有或者自筹资金，不使用募集资金，计划在 2026 年 12 月开工，整体建设期为三年。
问题 3：清溢光电加码高端半导体掩膜版三期，和佛山基地一、二期是什么承接关系？
回答 3：清溢光电佛山基地一期已经投产，主打 250nm 至 65nm 掩膜版；二期正在推进，往 28nm 过渡；三期作为进阶扩建，专门冲刺 28nm～14nm，形成循序渐进的制程布局。
【参考资料】
[2026-11-10]（清溢光电拟 15 亿元投建高端半导体掩膜版第三期 补齐产能缺口）证券日报
[2026-11-09]（清溢光电：子公司拟投资不超 15 亿元建设高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期）上海证券报
[2026-11-09]（15 亿元！清溢光电拟加码高端半导体掩膜版三期项目）财联社・科创板日报
[2026-11-09]（关于控股子公司投资建设项目的公告）巨潮资讯网
[2024-04-12]（佛山生产基地项目盛大开工）清溢光电官网
【免责声明】
本文内容整理自清溢光电上市公司公告以及公开财经、半导体行业媒体报道；高端半导体掩膜版三期项目尚处在待开工阶段，存在设备交付、工艺良率、客户认证、下游需求波动等多重不确定性；文中规划产能、产品节点仅为当前规划，后续可能发生调整；本文仅作为产业资讯整理，不构成任何投资建议。
本文来自作者[Maisie54]投稿，不代表诚邦网立场，如若转载，请注明出处：https://www.cbpmc.com.cn/qyzx/202611/392.html
评论列表（4条）
我是诚邦网的签约作者“Maisie54”！
希望本篇文章《清溢光电拟投入不超 15 亿元，加码高端半导体掩膜版三期先进制程产线》能对你有所帮助！
本站[诚邦网]内容主要涵盖：互联网行业的追踪与探索
本文概览：清溢光电在 11 月 9 日晚间正式发布公告，由旗下控股子公司佛山清溢微电子作为实施主体，在佛山南海基地推进高端半导体掩膜版三期扩建，项目总投资上限为 15 亿元，主打 28nm 至 14nm 先进节点半导体掩膜版，计划今年 12 月启动开工，整体建设周期三年，资金采用自有或者自筹方式，不使用上市公司募集资金；这次投资规模相比当初规划的三期 6 亿元大幅上调，把重心放在国内缺口最大的先进制程光罩，用来对接本土晶圆厂的扩产和制程升级，补齐国内高端掩膜版保供短板，而佛山基地一期已经顺利投产，二期还在稳步建设当中。之所以这次扩产被行业重点关注，是因为掩膜版也就是芯片底片，属于光刻环节的核心耗材，目前国内 28nm、14nm 这一档高端掩膜版国产化率很低，长期依赖海外供应商，交付周期、价格和供应链稳定性都存在风险；随着国内算力芯片、车载芯片、各类专用芯片持续扩产，先进掩膜版的需求在持续上涨，清溢光电希望借着这次加码，把产品结构从中低端往先进节点迁移，拉高在半导体掩膜版赛道的市场份额，当然项目周期很长，先进掩膜版对设备、洁净环境、图形精度、良率控制要求极高，就算产线建成，还要经过送样、认证、导入晶圆厂的漫长流程，短期很难立刻兑现营收增量。下面把项目基础信息、佛山基地整体规划、三期产品定位、资金与工期、掩膜版赛道痛点、项目推进步骤分开梳理清楚。